ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S4D R7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - S4D R7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - S4D R7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation S4D R7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S4D R7 | SS5P3-M3/86A | DAN217CT116 | MBR0530T1 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Rohm Semiconductor | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 30 V | 80 V | 30 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs | - | 4 ns | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 150°C | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Schottky |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | TO-277, 3-PowerDFN | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOD-123 |
| ชุด | - | eSMP® | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | 5A | 100mA | 500mA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | 280pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | TO-277A (SMPC) | SMD3 | SOD-123 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 250 µA @ 30 V | 100 nA @ 70 V | 130 µA @ 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 4 A | 520 mV @ 5 A | 1.2 V @ 100 mA | 430 mV @ 500 mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S4D R7 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ S4D R7 - Taiwan Semiconductor Corporation
S4D26SF378PJMRTexas InstrumentsS4D26SF308PJMRTexas InstrumentsS4D27F51PJMRTexas InstrumentsS4D26SF121PJMRTexas Instruments
S4DNF60LSTMicroelectronicsSS5P3-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 5A TO277ADAN217CT116Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 80V 100MA SMD3MBR0530T1onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 0.5A SOD123S4D26SF344PJMRTexas InstrumentsS4D26SF119PJMTexas InstrumentsS4D26SF313PJMRTexas Instruments
1N1616Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO4STPSC1206DSTMicroelectronicsDIODE SIL CARB 600V 12A TO220ACS4D27RF348PJMRTexas InstrumentsS4D27RF324PJMRTexas Instruments
STPS30L30DJF-TRSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 30A POWERFLAT
S4DF006X2-Y070Samsung Semiconductor
RB520CS-30T2RRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที